手机是由许多组件组成的。除了处理器、运行内存、图形处理器等核心硬件外，闪存也是影响手机性能和读取速度的重要指标。
最近几天，社交网络讨论了很多名词，比如UFS2.0，eMMC 5.1，LPDDR4。大部分网友还不清楚这些名词是什么意思，对手机有什么影响。今天的科技美学试图用最通俗易懂的语言来科普。
在我们了解UFS2.0、eMMC 5.1和LPDDR4之前，我们有必要了解一下内存和闪存的区别。
1。内存
首先，内存是计算机中的重要组成部分之一，是与CPU沟通的桥梁。计算机中的所有程序都在内存中运行，因此内存的性能对计算机有很大的影响。手机的RAM，我们通常称之为内存，是随机存取存储器(Random Access Memory)的缩写，是直接与CPU交换数据的内存，也叫主存。工作状态下可以随机读写数据，断电后数据会丢失。目前市场上主流智能手机一般都使用2G或4G运行内存，而一些旗舰机型也使用6G运行内存。
在PC平台上，内存经历了SIMM、EDO DRAM、SDRAM、Rambus DRAM、DDR的发展，现在推广到DDR4内存。手机上使用的LPDDR RAM是“低功耗双倍数据速率内存”的缩写。与桌面平台上的DDR4内存相比，移动平台的 LPDDR4可以在考虑较少的情况下带来同等的性能(速度)。
2。闪存
闪存(英文:Flash memory)，是一种电子可擦除可编程只读存储器，在运行中可以多次擦除或写入。【/s2/】该技术主要用于计算机与其他数码产品如存储卡、u盘等之间的一般数据存储和数据交换传输。
闪存是1984年为东芝工作时由石钢藤雄发明的。当时，英特尔看到了这项发明的巨大潜力，并于1988年推出了第一款商用NOR闪存芯片。后来，东芝在1989年的国际固态电路研讨会(ISSCC)上发布了与非门闪存。
与或非门闪存相比，与非门闪存具有更高的存储密度和更低的单位成本，因为它具有更快的擦除时间和更小的每个存储单元面积。同时其可擦频率比NOR Flash高十倍。值得一提的是，PC广泛使用的SSD和手机的ROM本质上是一个家族，都是NAND闪存。
3.eMMC
eMMC的全称是“嵌入式多媒体卡”，即嵌入式多媒体存储卡。在NAND闪存芯片的基础上，eMMC额外集成了主控制器，并将其封装成一个BGA芯片，从而大大降低了空之间的占用和布线难度，这是帮助移动设备减肥的唯一途径。
eMMC的速度取决于总线接口。目前eMMC的总线接口主要有eMMC 4.4、eMM*.5、eMMC 5.0(市场主流)和emmc5.1. 它们的理论带宽分别为104MB/s、200MB/s、400MB/s和600MB/s。
请注意，以上数据只是理论值，eMMC在实际应用中的速度会大大降低。以搭载eMMC5.0的手机(如魅族MX5)为例，其实际阅读速度仅为180 MB/s左右。
*影响实际读写速度的因素很多，比如CPU、系统优化、当前系统资源占用等。此数据仅供参考。
受8位并行接口和半双工模式固有缺陷的限制，eMMC很难继续提高速度，这已成为拖累移动设备整体体验的瓶颈。比如影响启动速度，APP启动速度，摄像头存储速度。
除了速度难以继续快速提高外，【/S2/】eMMC由于标准的早期制定，也逐渐暴露出一些传动缺陷。例如，eMMC仍然采用半双工模式，不能同时读写数据，不支持多线程，也不支持队列。最大存储容量只有2TB。
实际应用中的效果是，当我们将手机与PC连接时，在**照片的同时无法访问手机存储空室内的其他文件夹，也无法同时将数据**到手机上。其他操作只能在照片传输后进行。
目前，虽然eMMC的速度潜力已经耗尽，存在一些技术问题，但eMMC的表现目前并没有过时。目前，eMMC 5.0和eMMC 5。x基本能满足用户需求，市面上相当一部分手机继续使用eMMC。但据科技美学统计，【/s2/】目前市场上继续采用eMMC标准手机的旗舰机型屈指可数，大多采用速度更快、性能更好的UFS 2.0甚至UFS 2.1。比如华为的Mate 9 128G高端版采用UFS 2.1。
4。UFS
UFS的全称是通用闪存，即通用闪存。这个标准最早出现在2011年2月，但是UFS 1.1当时速度不是很快，只有300MB/s..由于当时eMMC的发展，UFS 1.1没有广泛传播，最终因为成本和兼容性问题而消失。
随后，联合电子设备工程协会JEDEC发布了全新的USF 2.0标准。与之前的标准相比，全新的USF 2.0有两个版本。UFS 2.0 HS-G2的理论带宽为5.8Gbps，约为740 MB/s，UFS 2.0 HS-G3的理论带宽更快，达到11.6Gbps，即约为1.5GB/s，甚至比一些SSD还快，几乎是最快的eMMC 5的2.5倍。x目前。
如此高的速度可以显著提高系统运行时访问数据的速度，减少等待时间，提高工作效率，提高能耗率，甚至对移动设备的电池寿命有积极的影响，并且可以轻松支持当前流行的4K视频录制。此外，当人们使用高速USB 3.0 Type-C或苹果的Lighting接口传输数据时，瓶颈不再是内存芯片，数据可以更快地传输到目标设备，大大节省了时间。
与传统的eMMC相比，UFS 2.0除了速度快之外，还有以下五大优势。
首先，UFS 2.0的传输技术改为串行，这是核心变化之一。由于这种变化，数据在传输过程中的抗干扰能力特别强。此外，并行多通道可以提高串行速度。
另外，UFS 2.0切换到串行总线后，不再使用eMMC的半双工模式，而是切换到全双工模式，可以同时收发数据。也就是说，当我们将手机连接到PC时，我们可以在**照片的同时访问手机存储空房间中的其他文件夹，同时也可以将数据**到手机中，而无需等待照片被传输。
*UFS 2.0采用串行传输，双通道，支持同时读写。与平行传动eMMC相比，它更快、更有效。
【/s2/】再次，UFS 2.0的数据指令系统基于SCSI架构，而之前的eMMC基于原生架构。显然，SCCI建筑更聪明。
第四，UFS 2.0对存储有更好的支持。原eMMC采用32位地址总线，最多支持2TB存储空空。在这方面，UFS 2.0采用了更灵活的处理方式，地址总线更多，所以最大容量很容易超过2TB。此外，UFS 2.0还支持多达八个分区。
最后，我们来看看功耗。与eMMC相比，UFS 2.0的速度要快得多，功能也更复杂，但功耗并没有明显增加。但是需要注意的是，UFS 2.0要快得多，可以支持大量的智能配置功能。因此，在执行相同的任务时，UFS 2.0要快得多，这意味着由于效率更高，功耗将被变相降低，整体能耗将得到改善。
【/s2/】综上所述，UFS在速度、性能、功耗上比eMMC好很多，但是相应的成本会比eMMC贵。
去年3月，JEDEC发布了UFS 2.1。它是UFS 2.0的迭代版本，部分改进了早期版本，进一步增强了它的优势。UFS 2.1的读取性能是UFS 2.0的两倍，写入性能快得多。
复员方案/LPDDR
前面说过，在PC平台上，内存经历了SIMM、EDO DRAM、SDRAM、Rambus DRAM、DDR的发展。DDR是一种发展至今的存储器。严格来说，DDR应该叫DDR SDRAM:双倍数据速率同步动态随机存储器(简称DDR SDRAM)。人们习惯于称DDR为双倍数据传输率的SDRAM。其数据传输速度是系统时钟频率的两倍，并且由于速度的提高，其传输性能优于传统的SDRAM。
DDR SDRAM可以在系统时钟的上升沿和下降沿传输数据。
LPDDR的全称是低功耗双数据速率软件随机存取存储器，它是一种动态随机存取存储器，也称为移动动态随机存取存储器。lpddr的字面意思是低功耗双倍数据速率，即指定的低功耗存储器与其他设备之间的数据交换标准。以功耗低、体积小著称，专门用于移动电子产品。
DDR内存从DDR和DDR2发展到DDR3，频率更高，电压更低，同时延迟也在增加，慢慢改变了内存子系统。DDR4最重要的任务是提高频率和带宽。每个引脚可提供2Gbps(256MB/s)带宽，频率高达4266MHz，最大存储容量可达128GB，正常工作电压可降至1.2V和1.1V
LPDDR的工作电压(工作电压)低于DDR的标准电压。从第一代LPDDR到今天的LPDDR4，每一代LPDDR都将内部读取大小和外部传输速度翻倍。LPDDR4可提供32Gbps带宽，输入输出接口数据传输速度可达3200Mbps，电压降至1.1V..【/s2/】至于最新的LPDDR4X，和LPDDR4一样，通过将I/O电压降低到0.6 V而不是1.1 V，节省了额外的功耗，也就是说节省了更多的功耗。
【/s2/】综上所述，LPDDR4比LPDDR3带宽更大，功耗更低，频率更高。目前旗舰车型大多采用LPDDR4，有例外。[/s2/]
*参考文献
张智妍。全面审视移动存储革命中的UFS技术[J]。微机，2015(18):103-106。
剑圣。eMMC的继任者UFS能给移动设备带来什么[J]。电脑发烧友，2016(9):104-106。
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